Khadgar2007 napisao:E sada zašto bi tražio dalje ako je ovo po Passu sasvim dovoljno i većina ljudi koristi za uparivanje mjerenje Idss struje(struja koja teče kroz mosfet kada je on biasiran na 0V). Zanima me koliko je recimo bitno i da li je isplativo da im se dovede neki napon na gate i upare u koliko toliko radnim uvjetima? Mislim dodavanje jednog dodatnog napona na gate ne bi trebalo predstavljati neki veliki problem. Na velikom diyaudiju sam našao dvije teme ali me zanima što naši lokalni majstori misle o tome.
Lokalni majstori misle da nemas pojma sto je MOSFET. Oprosti, al ponekad izgleda treba pljuska kad drugacije ne ide. Kad vec uporno gledate sheme kako se uparuje, a da se naucite razliku izmedju simbolja za JFET i MOSFET? Barem to? A bilo bi dobro da naucite da 99.99% svjetskih MOSFETa za razliku od 99.99% svjetskih JFET-a _NE_VODE_STRUJU_ kad je Ugs=0 dakle dosta vise lupetanja bez razmiljanja. Kakav vrazji Idss MOSFET-a. Vecina IRF/IRFP MOSFET-a trebaju po 3-4 volta Ugs-a da uopce pocnu voditi.
A sto se tice drugog dijela pitanja - naravno da je najbolji nacin uparivanja u realnim uvjetima. Al opet, evo primjera pisanja bez razmisljanja: zar je JEDINI realni uvjet u PASS pojacalu da je Uga>0? A sto je s ostalim naponima i strujama? Jedna od osnovnih stvari s PASS pojacalima je da se MOSFET poprilicno grije, dakle, koliko je prakticno uparivanje doslovno u radnim uvjetima? U pravilu ne bas.
E sad, za one kojima se da razmisljati, datasheet MOSFET-a itekako pokazuje sto se moze uzeti kao minimalni uvjet za vrlo kvalitetno uparivanje. Pogled na krivulje pokazuje da iznad odredjenog napona Uds struja kroz MOSFET ostaje ista bez obzira na dalnje povecanje Uds. Ta tocka je negdje oko 7-12V ocisno o konkretnoj struji i MOSFETu. Isto tako, iznad odredjenog napona Ugs promjena struje kroz MOSFET s porastom Ugs postaje konstanta - vodoravne linije u grafovima su jednoliko razmanute. Dakle, cak ni tocna struja ne mora biti zadovoljena, dovoljno je manja struja unutar tog linearnog podrucja.
Medjutim, u praksi je radi prakticnosti mjerenja zgodnije mjeriti samo jedan parametar, npr napon ili struju. Radi toga je zgodno koristiti sklop koji se zove Vgs multiplikator. Sastoji se od MOSFET-a i dva otpora - tocnije otpornog dijelila izmedju D i S. Dakle dva otpora spojena u seriju izmedju D i S, a G je spojen na medjusobni spoj dva otpora. Otpori trebaju imati odnos cca 2:1, npr 22k izmedju D i G, i 10k izmedju G i S. D-S se spoje na strujni izvor (ili ispravljac postavljen na strujni limit) idealno iznosa struje koji odgovara realnim radnim uvjetima, i mjeri se napon D-S. Moguce je spojiti i naponski izvor s (snaznim!) otporom u seriju.
Sto radi taj sklop? Koristi sam MOSFET kao element koji ce na sebi odrzavati napon Vds=Vgs(22+10)/10, dakle cca 3.2 puta Vgs. Za klasicne HEXVET-ove (IRF/IRFP) taj napon ce biti izmedju 10 i 13V, tako da je uvjet Vds>7-19V zadovoljen i MOSFET radi u tzv. podrucju zasicenja. Uparivanje se radi tako da se biraju MOSFETi koji imaju isti napon Vds pri istoj struji u tom spoju. Jos bolje uparivanje se postize tako da se mjeri na vise struja (dvije najmanje, npr 150mA i 1A - ovo je vaznije za pojacala u klasi AB, za klasu A struja je daleko iznad nelinearnog podrucja pa nema potrebe za mjerenje na necem tipa 150mA s obzirom da se to mozda pojavljuje samo pri teskom clippingu).
Pri tome treba paziti na disipaciju - 10-12C puta koji amper = 10-20W. Ovo je moguce izvesti i bez hladila ako mjerenje traje VRLO kratko. Toliko koliko treba da se ocita napon! Slicna prica je s varijantom s naponskim otpornikom i serijskim otporom. S obzirom da napon izvora mora biti dosta visok (barem 2x ocekivanog Vds), gibici na otporu ce biti 1-2 puta oni na MOSFET-u, ovisno o konkretnom naponu izvora.
rekoh da pokrenem nekakvu temu o tome. Ne u svrhu prodavanja zmijskog ulja već da možda dodamo ili oduzmemo nešto od načina uparivanja koji se mogu naći na netu. 